最近做了一款正激有源鉗位電源，DC48輸入，DC28V輸出，功率200W，頻率100K。下邊分別說說MOS管的差異

1.主MOS管用的IRF640，鉗位管也用的IRF640 ,輸出整流管用的MBR20200；實測效率滿載87.5%。IRF640的主要參數(shù)

2.正好參加了元器件網(wǎng)的特約評論員活動，給了幾片英飛凌的IPA075N15N3 G,在此先謝謝元器件網(wǎng)及源源。拿到手了就想換上去看看有啥區(qū)別，就把主MOS管換了個075N15，結(jié)果還真不一樣，滿載效率直接上升3個百分點，到了90.5%。再把IPA075N15N3 G的主要參數(shù)放上來

先從原理上分析下

1.第一種情況，IRF640的總輸入功率Pin640=200/0.875=228.5W，輸入電流Iin640=228.5/48=4.76A，導通損耗Pd640=4.76*4.76*0.18（IRF640的導通內(nèi)阻）*ton

2.第二種情況，075N15的總輸入功率PinN15=200/0.905=221W，輸入電流IinN15=221/48=4.6A，導通損耗PdN15=4.6*4.6*0.0075*ton

3.兩個導通損耗相差Pd=Pd640 -PdN15 兩個的總功率相差P=228.5-221=7.5W

兩個的開關(guān)損耗相差Pk=P-Pd

以上所算的都是大概值，因開關(guān)損耗的算法比較繁瑣，這就不算了，好多電源資料上都有。米勒電容主要影響開關(guān)速度，他里邊所存的電量會和變壓器漏感，還有MOS的一些寄生參數(shù)，PCB的一些寄生參數(shù)等產(chǎn)生諧振，影響效率。所以應選擇米勒電容比較小的MOS，從測試的波形可以形象的表達出來！

這個是640的

這個是IPA075N15N3 G的

這個從原理上我感覺最簡單的就是加電測量了吧，給VGS加個10V電壓，給DS之間加個恒流源測試DS之間的壓差！我倒是沒有實際測量過

先從導通內(nèi)阻說起吧

大家都知道，一般情況下電壓越高，導通內(nèi)阻越大。這個就和MOS的制作工藝有關(guān)系了，為了保證足夠大的漏源擊穿電壓Vds，需要有高電阻率外延層，這會使MOS的導通電阻增大。

根據(jù)選擇的拓撲選擇合適的MOS管及吸收電路，再保證高端Vds不超的情況下，盡量選擇耐壓低的管子，耐壓高的管子一般會很貴，品種單一沒有耐壓低的可選性多，而且效率不好提升。

耐壓相同的管子一般情況下，導通內(nèi)阻越小價格越高，根據(jù)自己的實際使用，在性價比中盡量折中。盡量把魚和熊掌全得到！

柵源電壓Vgs的選擇對導通電阻也有影響，電壓越高導通越好，導通程度越好，內(nèi)阻越小，但隨著柵源電壓Vgs的升高，開關(guān)速度會降低，這個以后說；還有可能導致柵源電壓Vgs擊穿，器件失效。柵源電壓越低，導通越差，內(nèi)阻越大，效率越低。所以建議大家選取柵源電壓Vgs為10V-18V之間。

做好散熱，導通內(nèi)阻隨著溫度的升高而增大，所以要把熱設(shè)計搞好，溫升盡量的低，效率盡量的高。

這個在管子的datasheet里邊都有體現(xiàn)，下邊咱看下075N15的

柵源電壓不同，導通內(nèi)阻也不一樣。

這個雖然沒有直接標出導通內(nèi)阻，但從電流上可以體現(xiàn)出來，溫度升高電流減小，輸入電壓不變說明內(nèi)阻增大。

以上所說，希望對大家在以后選取MOS時有些幫助

再說下MOS管的寄生電容對效率的影響把，這個涉及的比較多了。咱一切從簡單的說，以照顧新人為主，好多大俠比我還懂！

大家知道MOS的極間電容直接影響其開關(guān)特性，其等效電路如圖

輸入電容Ciss=Cgs+Cdg （D,S短接），輸出電容Coss=Cds+Cgd（G,S短接）

反饋電容Crss=Cgd（也叫米勒電容）

以上是MOS管的電容特性，有定義Q=C*V可得，在電壓一定時，電容量越小，Qg越小。

而Qg為柵極的總電荷量，Qgs為柵源極間的電荷量，Qgd為柵漏極間的電荷量。再根據(jù)公式t=Q/I得，當電流一定時，Q越小，時間越短，即開關(guān)速度越快，開關(guān)損耗越小。

所以在選取MOS時盡量選取Qg小的，以減小開關(guān)損耗。

而Qgs主要影響開啟時間，Qgd主要影響關(guān)斷時間。

1.在兩個MOS管的耐壓及電流一定時，選取Qg小的MOS；

2.如我上邊的波形及兩個資料來看，在Qg一樣時要選取Qgd小的MOS。

3.根據(jù)自己的實際功率選擇合適的MOS，一般情況下內(nèi)阻越小，Qg越大；Vds越小，Qg越 大。

4.根據(jù)實際頻率選擇合適MOS，頻率越高開關(guān)損耗越大，這個時候可能你的開關(guān)損耗越大 于你的導通損耗，這時要適當?shù)倪x擇內(nèi)阻大點的MOS，以提升開關(guān)損耗；

5.盡量選擇貼片的MOS，這樣MOS的引腳短，引腳上的寄生電感等參數(shù)會小的多，減小損耗！

開啟速度可以在你的PWM到你的柵極加個電阻限制下電流，但關(guān)斷速度就全靠你管子的寄生電容參數(shù)了。這個一般我會看Qgd，就像我上邊波形顯示的一樣，那個Qgd大的640關(guān)斷波形和速度就是沒075N15的快，所以這就和你選擇管子有關(guān)系了。你說的“我覺得還是應該看你的開關(guān)管漏端電壓的下降/上升和開關(guān)管電流的上升/下降時間的交疊時間吧，你開得快，交疊時間多；和你開得慢，交疊時間少”是對的，但你可以通過選擇MOS管的寄生電容盡量的去減小你的交疊時間，去提高效率。軟開關(guān)不也是刻意去改變管子的導通關(guān)斷，去實現(xiàn)零電壓或零電流，這也是軟開關(guān)技術(shù)效率高的原因之一吧！

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