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放射性粒籽植入治療系統(tǒng)

簡介

放射性粒籽植入治療系統(tǒng)產(chǎn)品描述：通常由防護(hù)裝置、圖像引導(dǎo)裝置、植入裝置、治療計劃系統(tǒng)等組成。放射性粒籽植入治療系統(tǒng)預(yù)期用途：用于腫瘤內(nèi)粒籽植入放射治療。放射性粒籽植入治療系統(tǒng)品名舉例：放射性粒籽植入槍、放射性粒籽植入器放射性粒籽植入治療系統(tǒng)管理類別： Ⅲ 放射性粒籽植入治療系統(tǒng)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)： ...查看詳情>>

放射性粒籽植入治療系統(tǒng)

簡介

放射性粒籽植入治療系統(tǒng)產(chǎn)品描述：
通常由防護(hù)裝置、圖像引導(dǎo)裝置、植入裝置、治療計劃系統(tǒng)等組成。

放射性粒籽植入治療系統(tǒng)預(yù)期用途：
用于腫瘤內(nèi)粒籽植入放射治療。

放射性粒籽植入治療系統(tǒng)品名舉例：
放射性粒籽植入槍、放射性粒籽植入器

放射性粒籽植入治療系統(tǒng)管理類別：
Ⅲ

放射性粒籽植入治療系統(tǒng)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)：
1、YY/T 1763-2021 醫(yī)用電氣設(shè)備醫(yī)用輕離子束設(shè)備性能特性
2、GB 15213-2016 醫(yī)用電子加速器性能和試驗方法
3、YY 0096-2009 鈷-60遠(yuǎn)距離治療機(jī)

收起百科↑ 最近更新：2023年03月02日

搜索條件所在地區(qū): 所屬類別:

武漢中原電子集團(tuán)有限公司計量檢測中心

檢測項：正向電流傳輸比HFE 檢測樣品：場效應(yīng)管標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管 GB/T 4587-1994

檢測項：電源電壓抑制比檢測樣品：運算放大器標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 GB/T 6798-1996

檢測項：電源電壓抑制比檢測樣品：CMOS電路標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測試方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

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天津出入境檢驗檢疫局化礦金屬材料檢測中心

檢測項：儀器化沖擊(KV2、KV8) 檢測樣品：金屬材料及制品標(biāo)準(zhǔn)：鋼材夏比V型缺口擺錘沖擊試驗儀器化試驗方法 GB/T 19748-2005

檢測項：取樣、制樣檢測樣品：石油焦標(biāo)準(zhǔn)：出口焦化石油焦及焦粒檢驗規(guī)程 SN/T 0992-2001

檢測項：r值檢測樣品：金屬材料及制品標(biāo)準(zhǔn)：金屬薄板和薄帶塑性應(yīng)變比（r值）的測定 GB/T 5027-2007

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貴州航天計量測試技術(shù)研究所

檢測項：電源電壓抑制比（誤差放大器）KSVR 檢測樣品：脈寬調(diào)制器標(biāo)準(zhǔn)：《半導(dǎo)體集成電路JW1524、1525、1525A、1526、1527、1527A)型脈寬調(diào)制器詳細(xì)規(guī)范》SJ 20294-1993

檢測項：正向電流傳輸比hFE 檢測樣品：晶體管標(biāo)準(zhǔn)：《半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管》GB/T 4587-1994 《半導(dǎo)體分立器件試驗方法》GJB 128A-1997

檢測項：電源電壓抑制比KSVR 檢測樣品：A/D 、D/A轉(zhuǎn)換器標(biāo)準(zhǔn)：《半導(dǎo)體集成非線性電路數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器和模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器測試方法》 SJ/T 10818-1996

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上海市機(jī)械制造工藝研究所有限公司鑄鍛熱檢測中心

檢測項：洛氏硬度檢測樣品：金屬材料標(biāo)準(zhǔn)：《鋼材夏比V型缺口擺錘沖擊試驗儀器化試驗方法》 GB/T 19748-2005

檢測項：沖擊試驗檢測樣品：金屬材料標(biāo)準(zhǔn)：《鋼材夏比V型缺口擺錘沖擊試驗儀器化試驗方法》 GB/T 19748-2005

檢測項：塑性應(yīng)變比測定檢測樣品：金屬材料標(biāo)準(zhǔn)：《金屬材料薄板和薄帶塑性應(yīng)變比（r值）的測定》 GB/T 5027-2007

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中國船舶重工集團(tuán)公司第七二二研究所計量檢測中心

檢測項：共發(fā)射極正向電流傳輸比h21E 檢測樣品：三極管標(biāo)準(zhǔn)：GB／T4587-1994《半導(dǎo)體器件分立器件第7部分雙極型晶體管》第Ⅳ章

檢測項：電流傳輸比CTR 檢測樣品：光電耦合器標(biāo)準(zhǔn)：GB╱T15651-1995 《半導(dǎo)體器件分立器件第5部分：光電子器件》 GB／T6571-1995《半導(dǎo)體分立器件第3部分》 GB／T4587-1994《半導(dǎo)體器件分立器件第7部分雙極型晶體管》第Ⅳ章

檢測項：前后比檢測樣品：電阻器、電容器標(biāo)準(zhǔn)：GJB360B－2009《電子及電氣元件試驗》方法

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齊齊哈爾軌道交通裝備有限責(zé)任公司計量理化檢測中心

檢測項：壓扁試驗檢測樣品：金屬及金屬制品標(biāo)準(zhǔn)：金屬材料沖擊試驗方法第2部分夏比V型缺口 AS 1544.2-2003

檢測項：沖擊試驗檢測樣品：金屬及金屬制品標(biāo)準(zhǔn)：金屬材料夏比擺錘沖擊試驗方法 GB/T229-2007

檢測項：油漆粘度檢測樣品：油漆及涂料標(biāo)準(zhǔn)：鐵路貨車用厚漿型醇酸漆技術(shù)條件 TB/T2707-1996

機(jī)構(gòu)所在地：黑龍江省齊齊哈爾市更多相關(guān)信息>>

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北京青云航空儀表有限公司理化計量中心

檢測項：共發(fā)射極正向電流傳輸比的靜態(tài)值檢測樣品：晶體管標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管GB/T4587-1994

檢測項：沖擊功檢測樣品：焊接接頭和焊接試樣標(biāo)準(zhǔn)：金屬材料夏比擺錘沖擊試驗方法GB/T 229-2007

檢測項：低溫貯存檢測樣品：電容器標(biāo)準(zhǔn)：功率型線繞固定電阻器總規(guī)范GJB2828-1997

機(jī)構(gòu)所在地：北京市更多相關(guān)信息>>

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臺表科技（蘇州）電子有限公司實驗室

檢測項：初始高溫光輸出比檢測樣品：螺旋式緊湊型熒光燈(CFL) （定向型/非定型）標(biāo)準(zhǔn)：IESNA LM-66-2011 能源之星對緊湊型熒光燈(CFLs)的要求Version 4.3

檢測項：全項目檢測樣品：熒光燈具（定向型/全向型）標(biāo)準(zhǔn)：能源之星燈具類規(guī)范要求-Version 1.1

檢測項：工作頻率檢測樣品：熒光燈具（定向型/全向型）標(biāo)準(zhǔn)：能源之星燈具類規(guī)范要求-Version 1.1

機(jī)構(gòu)所在地：江蘇省吳江市更多相關(guān)信息>>

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中國航空無線電電子研究所元器件檢測中心

檢測項：電流傳輸比檢測樣品：晶體三極管標(biāo)準(zhǔn)：GJB 33A-1997 半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范 GB/T 4587-1994 半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分:雙極型晶體管

檢測項：電流傳輸比檢測樣品：晶體三極管標(biāo)準(zhǔn)：GJB 33A-1997 半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范 GB/T 4587-1994 半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分:雙極型晶體管

檢測項：共發(fā)射極正向電流傳輸比檢測樣品：場效應(yīng)管標(biāo)準(zhǔn)：GJB 33A-1997 半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范 GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體器件分立器件第8部分:場效應(yīng)晶體管

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丹陽市精密合金廠有限公司檢驗檢測中心

檢測項：U 型缺口試樣的沖擊吸收功檢測樣品：金屬及金屬制品標(biāo)準(zhǔn)：《金屬材料夏比擺錘沖擊試驗方法》GB/T229-2007

檢測項：沖擊試驗檢測樣品：金屬和金屬制品標(biāo)準(zhǔn)：金屬材料夏比擺錘沖擊試驗方法 GB/T 229-2007

檢測項：抗拉強(qiáng)度檢測樣品：金屬及金屬制品標(biāo)準(zhǔn)：《金屬材料夏比擺錘沖擊試驗方法》GB/T229-2007

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放射性粒籽植入治療系統(tǒng)

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上海市機(jī)械制造工藝研究所有限公司鑄鍛熱檢測中心

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北京青云航空儀表有限公司理化計量中心

臺表科技（蘇州）電子有限公司實驗室

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