多晶硅（polycrystalline silicon）有灰色金屬光澤，密度2.32~2.34g/cm3。熔點1410℃。沸點2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應。高溫熔融狀態下，具有較大的化學活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導體性質，是極為重要的優良半導體材料，但微量的雜質即可大大影響其導電性。電子工業中廣泛用于制造半導體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經冷凝、精餾、還原而得。

與冶金級硅材料相比，用于太陽能行業的多晶硅具有顯著更高的純度，通常為99.999％或以上的純度。殘留物是雜質，如C，O和微量元素，如Fe，Cu，Ni等。痕量污染物的數量取決于制造商、過程以及有時生產批次。

雖然少于0.001％或10ppm，但多晶硅中痕量污染物的量和組成對光伏器件具有深遠影響。與半導體行業類似，金屬污染控制是提高器件產量和可靠性的關鍵過程之一，減少太陽能光伏電池中的金屬污染使電池效率更高和更長的設備壽命。

多晶硅微量元素測試方法

多晶硅的痕量金屬分析包括將多晶硅基質溶解在混合酸中，然后消化以除去硅基質。然后通過電感耦合等離子體質譜（ICP-MS）分析制備的溶液。重新計算結果以獲得固體多晶硅樣品中的痕量金屬濃度。

對于多晶硅塊體中的痕量元素，方法檢測限為每克硅（0.01 g / g-g-Si或ppbw）0.01至0.1納克，用于高純度硅測試。檢測限在0.2 ppbw范圍內的方法作為較低成本的替代方案提供。

根據超過30個單獨試驗，30種元素的平均加標回收率在82％到106％之間。

我們還根據ASTM F1724-96 / SEMI MF1724-1104方法提供了多晶硅樣品表面痕量金屬的測試。在該方法中，使用電感耦合等離子體質譜（ICP-MS）和/或電感耦合等離子體原子發射光譜（ICP-AES）來確定溶液中元素的濃度而不是石墨爐原子吸收光譜法（GF-AAS）。提取條件如酸濃度，提取時間，提取溫度可以變化以滿足客戶的目標。對于表面痕量元素分析，可以實現與批量分析相同的方法檢測限。

多晶硅檢測標準匯總